產(chǎn)品詳情
電池背拋工藝輔助劑，消除N排放帶來的環(huán)境污染，符合環(huán)保要求的一種水溶性、無毒無害的添加劑。該產(chǎn)品可以實現(xiàn)硅片的選擇性腐蝕（對氧化硅起到防腐保護作用，僅對裸硅、構(gòu)性氧化硅進行腐蝕）
IBC電池前拋光工藝輔助劑，符合環(huán)保要求的一種水溶性、無毒無害的添加劑。該產(chǎn)品僅對裸硅進行腐蝕，增大比表面積 和硅片平整度。 
電池后拋光工藝輔助劑，消除N排放帶來的環(huán)境污染，符合環(huán)保要求的一種水溶性、無毒無害的添加劑。該產(chǎn)品可以實現(xiàn)硅片的選擇性腐蝕（對氧化硅起到防腐保護作用，僅對裸硅、構(gòu)性氧化硅進行腐蝕）
產(chǎn)品成分：
表面活性劑，促進劑，光亮劑，保護劑
表面活性劑
增強溶液的潤濕性，減低表面張力，增強硅片接觸；
促進劑
加速硅片的反應速度；
光亮劑
增強背面光亮度和反射率；
保護劑
增加氧化硅的保護能力；
產(chǎn)品優(yōu)勢：
1.耗量低，單片耗量＜ 0.4ml
2.初配堿耗可以降低40%，過程堿補加降低20%.
3.外觀無卡尺印，拋光面潔凈，無殘留
4.底座平整 ，無反應臺階
5.TP電池背面硼擴層殘留可以有效去除
6.可以實現(xiàn)不同拋光塔基形貌
IBC電池前拋光工藝輔助劑，符合環(huán)保要求的一種水溶性、無毒無害的添加劑。該產(chǎn)品僅對裸硅進行腐蝕，增大比表面積 和硅片平整度。
產(chǎn)品成分：
表面活性劑，促進劑，光亮劑，保護劑
表面活性劑
增強溶液的潤濕性，減低表面張力，增強硅片接觸；
促進劑
加速硅片的反應速度；
光亮劑
增強背面光亮度和反射率；
保護劑
增加氧化硅的保護能力；
產(chǎn)品優(yōu)勢：
1.反射率：35%-42%,通過溫度、時間變化可調(diào);
2.拋光基底：方形的”塔基”在10-40pm內(nèi)可根據(jù)需求，根據(jù)溫度、時間線性可調(diào);
3.減重：0.50g-1.0gz為了確保線痕足夠淺，根據(jù)需求可調(diào)
4.線痕深度：＜ 1.5μm;
電池后拋光工藝輔助劑，消除N排放帶來的環(huán)境污染，符合環(huán)保要求的一種水溶性、無毒無害的添加劑。該產(chǎn)品可以實現(xiàn)硅片的選擇性腐蝕（對氧化硅起到防腐保護作用，僅對裸硅、構(gòu)性氧化硅進行腐蝕）
產(chǎn)品優(yōu)勢：
1.對于激光氧化硅區(qū)域可以實現(xiàn)定向腐蝕
2.對于非激光區(qū)域氧化硅保護性強
3.構(gòu)性氧化硅腐蝕區(qū)域深度可以控制2-5μm
4.溫宿適應性強可以滿足不同工藝溫度下的適配
